MOCD211R1VM
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onsemi MOCD211R1VM
| Artikelnummer: | MOCD211R1VM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | OPTOISO 2.5KV 2CH TRANS 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
onsemi MOCD211R1VM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MOCD211R1VM.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Ausgabe (max) 30V Spannung - Isolation 2500Vrms Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V VCE Sätttigung (max) 400mV Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 7.5µs, 5.7µs Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie - Aufstieg / Fallzeit (Typ) 3.2µs, 4.7µs Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Ausgabetyp Transistor Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Anzahl der Kanäle 2 Befestigungsart Surface Mount Eingabetyp DC Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min) 20% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max) - Strom - Ausgang / Kanal 150mA Strom - DC Vorwärts (If) (Max) 60 mA Grundproduktnummer MOCD21 MOCD211R1VM Einzelheiten PDF [English] MOCD211R1VM PDF - EN.pdf -
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